早期的理论研究预测了它们存在于具有平坦陈(Chern)带的系统中，双识让商并强调了特定量子几何的关键作用。

通道放大图像显示了厚{110}多面异质结构的SnS核心和GeS边缘之间的特征光学对比度。不同的二维晶体，药标包括石墨烯-hBN和一些过渡金属二硫化物，已经开发出了横向集成的生长工艺。

店统图4多层GeS-SnS异质结构的化学成像a)多层横向GeS-SnS异质结构的HAADF-STEM图像。横向异质结构，敢于在共价线界面实现载流子操纵，只能通过自下而上的合成来实现。销售c-f）界面区高倍EDS化学图（a中的正方形）。

图3多层GeS-SnS异质结构横向界面的纳米束衍射分析a）具有代表性的多层GeS-SnS异质结构的平视HAADF-STEM图像，见药GeS盖层在SnS中心的厚度很小。g）外围的拉曼光谱（e中的虚线g），双识让商显示GeS振动模式。

通道f)异质结构外围GeS区域的局部电子束激发示意图

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这些状态中的第一个在5T时出现，敢于它们的出现伴随着附近拓扑平凡电荷密度波态的同时消失。然而，销售FCI状态仅在与六方氮化硼(hBN)排列的伯纳尔(Bernal)堆叠双层石墨烯(BLG)中观察到，销售其中Chern带的存在是由一个非常大的磁场造成的，无法在零场实现FCI。

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